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当输入电压突然由+VF变为-VR时Ｐ区存储的电子和Ｎ区存储的空穴不会马上消失，但它们将通过下列两个途径逐渐减少：在反向电场作用下，Ｐ区电子被拉回Ｎ区，Ｎ区空穴被拉回Ｐ区，形成反向漂移电流IR，如下图所示；与多数载流子复合。在这些存储电荷消失之前，ＰＮ结仍处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，ＰＮ结的电阻仍很小，与RL相比可以忽略，所以此时反向电流IR=（VR＋VD）/RL。VD表示ＰＮ结两端的正向压降，一般VRVD，即IR＝VR／RL。

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新疆克拉玛依光伏电缆大量收购带皮电缆交流电机虽然结构简单，但是工作原理其实比直流电机要复杂一点，如果要理解清楚也更加费劲。在交流电机的定子上通上三相对称交流电，如上图所示，定子不动，仅仅通过电流的变化就能产生旋转的磁场，这个磁场像一个绕着定子旋转的磁铁。有了这个旋转的磁铁，一切就都好了，在定子内部随便放一个闭合的线圈，在这个闭合线圈里就会感应出电动势和电流，就会产生电磁力，闭合线圈就会转动起来。也可以这么理解，定子上有一个旋转的磁铁，转子闭合线圈由于感应带电，其实也变成了一个电磁铁，外面的电磁铁在转，就会带着里面的电磁铁转，于是交流电机的转子就转起来了。三极管按材料分有两种：硅管和锗管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用 多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，取代一些硅原子，在电压激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）；两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e（Emitter）、基极b(Base)和集电极c(Collector)。在我们设计单片机电子电路时，常用应用到一下比较常用的电路，每次都需要从新画，即费力又费神，还容易出错，所以本人将自己常用的电路设计成模块，每次使用直接负责即可。由于个人的力量有限，希望大家把自己常用的电路发上来分享。电路难免有错，希望大家指出。。。双路232通信电路：3线连接方式，对应的是母头，工作电压5V，可以使用MAX202或MAX232。三极管串口通信：本电路是用三极管搭的，电路简单，成本低，但是问题，一般在低波特率下是非常好的。Busy表示功能块执行情况的输出，如果为高电平，表示功能块正在执行。我们读取它的下降沿，来触发下一次操作。Error是功能块的错误，可能你会有疑问，为什么通信错误不用这个信号呢？其实这个错误表示的范围更广,它表示功能块检测到错误就报，有时候，我们通信正常，但是当我们读取的数据有问题，或是参数设置不正确时，也会报错，而我在程序中的错误仅仅是通信不上的错误，也就是，这个Error表示的范围更广泛，它更适合我们调试的时候监控。