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SB3的按钮关常点串KM△的线圈常闭点串KMY的线圈。这个是带延时继电器的星三角带延时继电器的星三角更加方便，接线和上图的手动控制类似，只不过把按钮关换成了延时继电器。按钮关SB2按下去以后KM1自锁，同时延时继电器的线圈得电启动，延时继电器KT常闭点串KM2线圈，KT常点串KM3线圈，延时时间到了以后KM3自锁。KM3的辅助常闭点串延时继电器的线圈，所以启动完成后，延时继电器也会断电。控制电机正反转完整接线这个电路用的非常多，其实就是接触器自锁和互锁的结合应用。如表针向左侧大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS↓，IDS↑。但表针究竟向哪个方向偏转，应视感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。晶体管的测量方法1.找出基极，并判定管型（NPN或PNP）对于PNP型三极管，E极分别为其内部两个PN结的正极，B极为它们共同的负极，而对于NPN型三极管而言，则正好相反：E极分别为两个PN结的负极，而B极则为它们共用的正极，根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。对于轻载负荷电动机与变频器选择:由于变频器输出的电压、电流中有高次谐波，这样电动机的功率因数、效率会有一定程度上的下降，而工作电流会增加10％，因此在选择变频器容量可按照以下公式计算:Ife≥1.1Ie或者是Ife≥1.1Imax；式中的Ife为变频器的额定输出电流，；Ie为电动机额定电流，；Imax为电动机实际运行中的电流，。对于重载启动和频繁启动、制动时的变频器与电动机配套选择，则按照Ife≥(1.2~1.3)Ie计算。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。